MOSFETS

飞兆半导体的电力传输和功率转换应用中MOSFET技术的领导者。 我们提供了大量的MOSFET器件组合，包括高电压（> 250V），低电压（250V）和多种创新的包装选项以及强大的技术支持。 选择更多的原始设备制造商飞兆半导体，因为我们将继续提供领先的MOSFET技术的AC-DC和DC-DC设计。

我们先进的硅技术，提供更小的芯片尺寸，我们纳入多个行业标准和热增强型封装。 这种能力得到了业界领先的功率密度（每平方厘米的电路板空间的安培）和优异的热性能。

我们的特色MOSFET的技术包括：

平面的UniFETMOSFET的

超级结的SuperFETII MOSFET的

海沟的PowerTrenchMOSFET的

分立的MOSFET产品的电压

N-沟道<= 250V家庭，

N-通道> 250V系列

NP-沟道MOSFET <= 250

P-沟道<= 250V家庭，

P-通道> 250V系列

MOSFET的组合

分立式MOSFET（1187）

集成的负载开关（13）

MOSFET /肖特基连击（15）

为什么要选择我们的MOSFET产品

电力传输解决方案的一部分，飞兆半导体公司的核心业务，我们已经连续超过50年的领先的功率半导体。

结合MOSFET栅极驱动器IP应用优化的解决方案，最大限度地减小了转换损耗和传导损耗与整个系统的创建。

能够混合和匹配的MOSFET，控制器和PWM驱动器的IP与先进的加工和包装能力，以提供优化的组件选择。

我们的MOSFET可以提供优越的可靠性设计，降低电压尖峰和过冲，以更低的结电容和反向恢复电荷，以消除额外的外部元件，以保持系统的建立和运行时间。

应用说明

应用笔记 功能/产品 描述

AN-7510 分立式MOSFET，MOSFET的 一种新的PSPICE子电路的功率MOSFET，拥有全球温度选项

AN-1029 汽车的N-沟道MOSFET，汽车的P-沟道MOSFET，汽车产品，高电压栅极驱动器（HVIC的），场效应管，FAN7080_GF085，FAN7081_GF085，FAN7083_GF085，FAN7085_GF085，FAN7190_F085，FDS2672_F085，FDS4141_F085，FDS4435BZ_F085，FDS4465_F085，FDS4559_F085，FDS4675_F085，FDS6673BZ_F085，FDS6898AZ_F085 ，FDS8449_F085，FDS8949_F085，FDS8958A_F085，FDS8984_F085，FDS9431A_F085，FDS9958_F085 SO-8功率MOSFET的最大功率增强技术

AN-1032 汽车产品，高电压栅极驱动器（HVIC的），高侧驱动器，MOSFET，FAN7080_GF085，FAN7081_GF085，FAN7083_GF085，FAN7085_GF085 与3.5瓦SO-8功率MOSFET的性能的限制

AN-558 分立式MOSFET，MOSFET，可NDS351N 功率MOSFET及其应用

AN-7004 分立式MOSFET，MOSFET的，FDS2670 48-V电信应用的功率变换器拓扑和MOSFET的选择

AN-7016 MOSFET的 200安培VRM之路

AN-7017 MOSFET的 减少了功率损耗的MOSFET控制门参数

AN-7018 MOSFET的 分段电压调节模块（VRM）的解决方案，CPU核心电压

AN-7500 MOSFET的 了解功率MOSFET

AN-7502 MOSFET的 功率MOSFET的开关波形：一个新认识

AN-7503 MOSFET的 电导调制场效应晶体管中的应用

AN-7506 MOSFET的 调味最多香料II功率MOSFET建模软件

AN-7514 分立式MOSFET，MOSFET，可FDB8444 单脉冲钳位感应开关：A评级系统

AN-7515 分立式MOSFET，MOSFET，可FDB8444 的组合单脉冲，重复UIS的评估体系

AN-7517 分立式MOSFET，MOSFET，可RFD16N05LSM，RFD16N05SM，RFD3055LE，RFD3055LESM，RFP50N06，RFP70N06 使用功率MOS晶体管来驱动电感性负载中的实际问题

AN-7526 分立式MOSFET，MOSFET，可FDMB2307NZ 单通道的MicroFET3x2的功率MOSFET推荐土地格局和热性能

AN-7532 分立式MOSFET，MOSFET，可FDP038AN06A0 一种新的PSPICE电热子电路功率MOSFET

AN-7533 分立式MOSFET，MOSFET，可FDP038AN06A0 MOSFET模型的动态温度补偿的修正

AN-7534 分立式MOSFET，MOSFET，可FDP038AN06A0 一种新的PSPICE电热子电路功率MOSFET

AN-7536 分立式MOSFET，MOSFET，可FDH45N50F FCS第一阶段的快速体二极管的MOSFET移ZVS PWM全桥DC / DC转换器

AN-8039 汽车的N-沟道MOSFET，汽车智能电源开关，信号，遥感和时序，场效应管，与非门，74VHC00，FDD8896_F085，FDDS100H06_F085，FT7521，FT8010 在汽车系统中使用FDDS100H06_F085

AN-9008 的MOSFET，整流器，并联稳压器，小信号二极管，1N4148，1N4937，1N4148WS，1N4148WT，KA431 在反激式转换器的使用的QFET

AN-9010 分立式MOSFET，MOSFET，可FQP10N20C MOSFET基础知识

AN-9013 分立式MOSFET，晶体管，小信号二极管，小信号晶体管，1N4148，1N4148WS，1N4148WT，FQP10N20C，KSA733 一个升压转换器降低开关损耗中与QFET

AN-9014 MOSFET的 ：飞兆半导体QFET为同步整流DC到DC转换器

AN-9015 分立式MOSFET，MOSFET的负电压线性稳压器，整流器，肖特基二极管及整流器并联稳压器，小信号二极管，标准PWM控制器，1N4148，1N4937 1N4148WS，1N4148WT，FQP6N40C，FQP6N40CF，FQP6N70，FQP6N80C，FQP6N90C，FQP7N80C，FYPF1010DN， KA3842A，KA3842B，KA431，KA431A，KA431L，KA431S，KA7912，KA7912A A180W，100KHz的正激变换器的的使用QFET

AN-9034 分立式MOSFET，MOSFET的FDP050AN06A0，FQA11N90C_F109，FQA11N90_F109 功率MOSFET雪崩指引的

AN-9055 分立式MOSFET，的MOSFET的FDMA1023PZ，FDMA1024NZ，FDMA1025P，FDMA1027P，FDMA1027PT，FDMA1028NZ，FDMA1029PZ，FDMA1032CZ，FDMA2002NZ，FDMA291P，FDMA3023PZ，FDMA3028N，FDMA410NZ，FDMA420NZ，FDMA430NZ，FDMA507PZ，FDMA510PZ，FDMA520PZ，FDMA530PZ，FDMA6023PZT，FDMA7630，FDMA7632，FDMA7670 FDMA7672，FDMA8878，FDMA8884，FDMA905P，FDMA910PZ 大会指南的MicroFET㈡×2双包装

AN-9056 分立式MOSFET，MOSFET的离线隔离型DC-DC，FDMC2512SDC，FDMC2514SDC，FDMC3020DC，FDMC7660，FDMC7660DC，FDMC7660S，FDMS2504SDC，FDMS2506SDC，FDMS2508SDC，FDMS2510SDC，FDMS7650，FDMS7650DC，FDMS7660 采用飞兆半导体双酷MOSFET的

AN-9066 分立式MOSFET场效应管，功率因数校正，整流器，FDA16N50_F109，FDA18N50，FDA20N50F，FDA20N50_F109，FDA24N40F，FDA24N50，FDA24N50F，FDA28N50，FDA28N50F，FDA50N50，FDB12N50F，FDB12N50U，FDB15N50，FDD5N50，FDD5N50U，FDD6N50，FDD6N50F，FDH44N50，FDH45N50F，FDP12N50 FDP18N50，FDP20N50，FDP20N50F，FDP5N50NZ，FDP7N50，FDPF10N50FT，FDPF10N50UT，FDPF12N50FT，FDPF12N50NZ，FDPF12N50T，FDPF12N50UT，FDPF13N50FT，FDPF16N50，FDPF16N50T，FDPF16N50UT，FDPF18N50，FDPF18N50T，FDPF20N50，FDPF20N50FT，FDPF20N50T，FDPF5N50FT，FDPF5N50T，RURP860 不连续电流模式功率因数校正的UniFET优化的开关

AN-9067 分立式MOSFET，MOSFET的FCA20N60，FCA20N60F，FCA20N60_F109，FCA47N60，FCA47N60F，FCA47N60_F109，FCB20N60，FCB20N60F，FCH47N60，FCH47N60F，FCP11N60，FCP11N60F，FCP11N60N，FDA20N50F，FDA20N50_F109，FDB12N50F，FDD5N50，FDD5N50U，FDD6N50，FDD6N50F，FDH45N50F，FDP20N50，FDP20N50F ，FDPF10N50FT，FDPF12N50FT，FDPF12N50T，FDPF13N50FT，FDPF20N50，FDPF20N50FT，FDPF20N50T，FDPF5N50FT，FQA13N50CF，FQL40N50，FQL40N50F，FQPF10N50CF，FQPF11N50CF，FQPF13N50CF，FQPF8N60C，FQPF8N60CF，FQPF9N50CF LLC谐振转换器的MOSFET失效模式分析

AN-9067SC MOSFET的 AN-9067分析LLC谐振转换器的MOSFET失效模式

AN-9068 分立式MOSFET，MOSFET的FCP11N60，FCP11N60F，FCP11N60N，FCP13N60N，FCP16N60，FCP16N60N，FCP190N60，FCP20N60，FCP22N60N，FCP36N60N，FCP4N60，FCP7N60，FCP9N60N，FCPF11N60，FCPF11N60NT，FCPF11N60T，FCPF13N60NT，FCPF16N60，FCPF16N60NT，FCPF20N60，FCPF22N60NT，FCPF7N60，FCPF7N60NT ，FCPF9N60NT 栅极电阻设计为SupreMOS指南

AN-9068SC 分立式MOSFET，MOSFET的FCP11N60，FCP11N60F，FCP11N60N，FCP13N60N，FCP16N60，FCP16N60N，FCP190N60，FCP20N60，FCP22N60N，FCP36N60N，FCP4N60，FCP7N60，FCP9N60N，FCPF11N60，FCPF11N60NT，FCPF11N60T，FCPF13N60NT，FCPF16N60，FCPF16N60NT，FCPF20N60，FCPF22N60NT，FCPF7N60，FCPF7N60NT ，FCPF9N60NT 栅极电阻设计SupreMOS指南“