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FDD10N20LZTM - Fairchild公司常见的电子元件
FDD10N20LZTM供应商
产品参考图片
FDD10N20LZTM
制造厂商:
仙童半导体(FAIRCHILD)
类别封装:
单端场效应管,TO-252
技术参数:
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
(专注销售仙童电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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参数详情:
制造商产品型号:FDD10N20LZTM
制造商:仙童半导体(Fairchild,已被ON安森美半导体公司收购)
描述:MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3
系列:UniFET?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7.6A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):360 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):585pF @ 25V
功率 - 最大值:56W
安装类型:表面贴装
产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)
FDD10N20LZTM的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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