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FDMD86100供应商

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FDMD86100

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：FET - 阵列，8-PowerWDFN

技术参数：MOSFET 2N-CH 100V

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参数详情：

制造商产品型号: FDMD86100

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

功能总体简述: MOSFET 2N-CH 100V

系列: PowerTrench

FET 类型: 2 个 N 沟道（双）

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 10A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 10.5 毫欧 @ 10A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 30nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2060pF @ 50V

功率 - 最大值: 2.2W

安装类型: 表面贴装

产品封装: 8-PowerWDFN

供应商器件封装: 8-PQFN（5x6）

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