FDMS3686S | Fairchild仙童半导体

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FDMS3686S供应商

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FDMS3686S

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：场效应管阵列，8-PQFN

技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN

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参数详情：

制造商产品型号：FDMS3686S

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN

系列：PowerTrench

FET 类型：2 N 沟道（双）非对称型

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A，23A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 毫欧 @ 13A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.7V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：29nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1785pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

产品封装：8-TDFN

供应商器件封装：8-PQFN（5x6）

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