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FDV302P_NB8V001供应商

产品参考图片

FDV302P_NB8V001

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单端场效应管，SOT-23

技术参数：MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

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参数详情：

制造商产品型号：FDV302P_NB8V001

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：120mA（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 200mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.31nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11pF @ 10V

功率 - 最大值：350mW

安装类型：表面贴装

产品封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23

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