FDZ298N | Fairchild仙童半导体

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FDZ298N供应商

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FDZ298N

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单端场效应管，9-BGA

技术参数：MOSFET N-CH 20V 6A BGA

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参数详情：

制造商产品型号：FDZ298N

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET N-CH 20V 6A BGA

系列：PowerTrench

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：27 毫欧 @ 6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：680pF @ 10V

功率 - 最大值：1.7W

安装类型：表面贴装

产品封装：9-WFBGA

供应商器件封装：9-BGA

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