FQA8N100C | Fairchild仙童半导体

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FQA8N100C供应商

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FQA8N100C

制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）

类别封装：单端场效应管，TO-3PN

技术参数：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P

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参数详情：

制造商产品型号：FQA8N100C

制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）

描述：MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P

系列：QFET

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.45 欧姆 @ 4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：70nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3220pF @ 25V

功率 - 最大值：225W

安装类型：通孔

产品封装：TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装：TO-3PN

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