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    HGTD3N60C3S9A
  • 制造厂商：仙童半导体（FAIRCHILD）
  • 类别封装：单路IGBT，D-Pak
  • 技术参数：IGBT 600V 6A 33W TO252AA
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：HGTD3N60C3S9A
  • 制造商：仙童半导体（Fairchild，已被ON安森美半导体公司收购）
  • 描述：IGBT 600V 6A 33W TO252AA
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：24A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，3A
  • 功率 - 最大值：33W
  • Switching Energy：85μJ （开）， 245μJ （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：10.8nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：-
  • Test Condition：480V， 3A， 82欧姆， 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：D-Pak
  • HGTD3N60C3S9A的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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