2N7000 - N沟道增强模型场效应晶体管
2N7000是Fairchild公司的一款MOSFET产品,2N7000是N沟道增强模型场效应晶体管,本站介绍了2N7000的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与2N7000相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
2N7000 - N沟道增强模型场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
2N7000 - 产品描述
该N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。这款产品旨在最大限度地降低导通阻抗,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。它们可用于大部分需要高达400mA直流电流的应用,并且能够提供高达2A的脉冲电流。这些产品特别适合低压、低电流应用(如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器)以及其它开关应用。
2N7000 - 产品特性
- 高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)。
- 电压控制的小型信号开关。
- 坚固而可靠。
- 高饱和电流能力。
2N7000 - 产品应用
该产品为通用产品,适用于很多不同应用。
以下列出了2N7000相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
2N7000 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.05 |
2N7000_D74Z | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.05 |
2N7000_D75Z | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.05 |
2N7000_D26Z | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.05 |
9GA85_2N7000 | 量产(特殊订单)-ROHS | 不适用 |
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