BSS123L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
BSS123L是Fairchild公司的一款MOSFET产品,BSS123L是N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管,本站介绍了BSS123L的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与BSS123L相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
BSS123L - N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
BSS123L - 产品描述
该N沟道增强型场效应晶体管采用高单元密度、沟道MOSFET技术制作。该产品旨在最大限度地降低导通电阻,同时提供稳固、可靠、快速的开关性能。该产品尤其适用于低电压、低电流应用,如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器、逻辑电平晶体管、高速线路驱动器、功率管理/电源和开关应用。
BSS123L - 产品特性
- 0.17 A、100 V、RDS(ON) = 6 Ω(VGS = 10 V 时), RDS(ON) = 10 Ω(VGS = 4.5 V 时)
- 高密度单元设计,实现低 RDS(ON)
- 坚固而可靠
- 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装
- 低电容
- 快速开关速度
BSS123L - 产品应用
以下列出了BSS123L相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
BSS123L | 量产-ROHS:截至2014年8月 | $0.029 |
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