FCA22N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 22A, 165mΩ
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FCA22N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 22A, 165mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FCA22N60N - 产品描述
SupreMOSMOSFET是飞兆半导体的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统SJMOSFET产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的Rspon-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。SupreMOSMOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。
FCA22N60N - 产品特性
- BVDSS = 650V @ TJ = 150°C
- RDS(on) = 140mΩ (典型值)@ VGS = 10V,ID = 11A
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 45nC )
- 低有效输出电容(典型值Coss.eff = 196.4pF )
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FCA22N60N - 产品应用
该产品为通用产品,适用于很多不同应用。
以下列出了FCA22N60N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FCA22N60N | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $3.43 |
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