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Fairchild产品 - FCB110N65F介绍
FCB110N65F - N 沟道 SuperFET II MOSFET FRFET 650V 110 mΩ D2-Pak

FCB110N65F是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FCB110N65F是N 沟道 SuperFET II MOSFET FRFET 650V 110 mΩ D2-Pak,本站介绍了FCB110N65F的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FCB110N65F相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FCB110N65F - N 沟道 SuperFET II MOSFET FRFET 650V 110 mΩ D2-Pak - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FCB110N65F - 产品描述

SuperFETIIMOSFET是飞兆利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结(SJ)MOSFET系列产品。SuperFETIIFRFETMOSFET集更快速、更耐用的固有体二极管性能与快速开关性能于一身,旨在实现更佳可靠性和效率,在谐振开关应用中尤其如此。SuperFETIIFRFET非常适合开关电源应用,如服务器/电信电源、光伏逆变器、FPD电视电源、电脑电源、照明及工业电源应用。

FCB110N65F - 产品特性
  • 700 V @TJ= 150°C
  • 典型值RDS(on)=96 mΩ(典型值)
  • 超低栅极电荷(典型值Qg=98 nC)
  • 低有效输出电容(典型值Coss(eff.)= 464 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FCB110N65F - 产品应用
    以下列出了FCB110N65F相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FCB110N65F量产-ROHS:截至2013年4月$4.284
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