FCB20N60F_F085 - N 沟道 MOSFET 600V、20A、190mΩ,
FCB20N60F_F085是Fairchild公司的一款车用N沟道MOSFET产品,FCB20N60F_F085是N 沟道 MOSFET 600V、20A、190mΩ,,本站介绍了FCB20N60F_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FCB20N60F_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FCB20N60F_F085 - N 沟道 MOSFET 600V、20A、190mΩ, - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild(仙童半导体)
FCB20N60F_F085 - 产品描述
SuperFETTM作为Fairchild高压MOSFET系列的新一代专利产品,采用先进的电荷平衡机制,能够显著降低导通电阻并实现更低的栅极电荷性能。这项先进的技术专用于最大限度地减少传导损耗,提供卓越的开关性能,以及承受极端高的dv/dt电压变化率和更高的雪崩能量值。因此,SuperFET非常适用于开关模式运行下的各种AC/DC功率转换,从而实现系统的微型化以及更高的效率
FCB20N60F_F085 - 产品特性
- 典型值 rDS(on) = 171 mΩ(VGS= 10 V、ID = 20 A)
- 典型Qg(tot)=78nC(VGS=10V、ID=20A)
- UIS 能力
- 符合 RoHS 标准
- 符合 AEC Q101 标准
FCB20N60F_F085 - 产品应用
以下列出了FCB20N60F_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FCB20N60F_F085 | 量产-ROHS:截至2012年7月 | $2.6 |
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