FCMT199N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET
FCMT199N60是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FCMT199N60是N 沟道 SuperFET II MOSFET,本站介绍了FCMT199N60的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FCMT199N60相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FCMT199N60 - N 沟道 SuperFET II MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FCMT199N60 - 产品描述
SuperFETIIMOSFET是飞兆半导体全新的高压超结(SJ)MOSFET系列产品,运用电荷平衡技术,可实现卓越的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。该技术专为最大程度地减少导通损耗,提供较高的开关性能、dv/dt速率和较高的雪崩能量而设计。因此,SuperFETIIMOSFET非常适合用于诸如服务器/电信电源、适配器和光伏逆变器应用等开关电源应用。Power88封装是一款超薄型表面贴装封装(高度为1mm),外形轻薄、小巧(8x8mm2)。SuperFETIIMOSFET采用Power88封装,由于具有更低的寄生源极电感和独立电源和驱动电源,可实现卓越的开关性能Power88可达到湿度敏感1级水平(MSL1)。
FCMT199N60 - 产品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- RDS(on)=170 mΩ(典型值)
- 超低栅极电荷(典型值 Qg = 57 nC)
- 低有效输出电容(典型值 Coss(eff.) = 160 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FCMT199N60 - 产品应用
以下列出了FCMT199N60相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FCMT199N60 | 量产-ROHS:截至2013年2月 | $2.58 |
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