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FCP190N60_GF102技术文档下载：
FCP190N60_GF102 - N 沟道 SuperFET II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ
FCP190N60_GF102是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FCP190N60_GF102是N 沟道 SuperFET II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ，本站介绍了FCP190N60_GF102的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCP190N60_GF102相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FCP190N60_GF102 - N 沟道 SuperFET II MOSFET 600V, 20.2A, 199mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FCP190N60_GF102 - 产品描述
SuperFETIIMOSFET是飞兆半导体利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化传导损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFETIIMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。
FCP190N60_GF102 - 产品特性
- TJ = 150°C 时为 650 V
- RDS(on)最大值 = 199 mΩ
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 57 nC)
- 低有效输出电容（典型值Coss.eff = 160 pF）
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FCP190N60_GF102 - 产品应用
以下列出了FCP190N60_GF102相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FCP190N60_GF102 | 量产-ROHS：截至2012年12月 | $2.03 |
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