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FCPF190N65FL1 - N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET 650 V，20.6 A，190 mΩ
FCPF190N65FL1是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FCPF190N65FL1是N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET 650 V，20.6 A，190 mΩ，本站介绍了FCPF190N65FL1的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FCPF190N65FL1相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FCPF190N65FL1 - N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET 650 V，20.6 A，190 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FCPF190N65FL1 - 产品描述
SuperFETIIMOSFET是Fairchild利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻和更低栅极电荷性能的全新高压超级结（SJ）MOSFET系列产品。这项技术专用于最小化导通损耗并提供卓越的开关性能、dv/dt额定值和更高雪崩能量。因此，SuperFETMOSFET非常适合开关电源应用，如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。SuperFETIIFRFETMOSFET优化体二极管的反向恢复性能可去除额外元件，提高系统可靠性。
FCPF190N65FL1 - 产品特性
- 700 V @TJ= 150°C
- RDS(on) = 168 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值 Qg = 60 nC)
- 低有效输出电容（典型值 Coss(eff.) = 304 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FCPF190N65FL1 - 产品应用
以下列出了FCPF190N65FL1相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FCPF190N65FL1 | 量产-ROHS：截至2014年2月 | $2.06 |
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