FCPF7N60NT - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 6.8A, 520mΩ
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FCPF7N60NT - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 6.8A, 520mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FCPF7N60NT - 产品描述
SupreMOSMOSFET是飞兆半导体的下一代高压超级结(SJ)技术,该技术采用区别于传统SJMOSFET产品的深沟槽填充工艺。这项先进技术和精密的工艺控制提供了最低的Rspon-resistance(导通电阻规格),卓越的开关性能和耐用性。SupreMOSMOSFET技术适用于高频开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源及工业电源应用。
FCPF7N60NT - 产品特性
- RDS(on) = 460mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 3.4A
- 超低栅极电荷(典型值Qg = 17.8nC )
- 低有效输出电容(典型值Coss.eff = 91pF )
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FCPF7N60NT - 产品应用
该产品为通用产品,适用于很多不同应用。
以下列出了FCPF7N60NT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FCPF7N60NT | 量产-ROHS:截至2009年12月 | $1.49 |
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