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    Fairchild产品 - FDB029N06介绍
    FDB029N06 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 60V, 193A, 3.1mΩ

    FDB029N06是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDB029N06是N 沟道 PowerTrench MOSFET 60V, 193A, 3.1mΩ，本站介绍了FDB029N06的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB029N06相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDB029N06 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 60V, 193A, 3.1mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDB029N06 - 产品描述

    该N沟道MOSFET采用飞兆半导体的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。

    FDB029N06 - 产品特性
    • RDS(on) = 2.4mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A
    • 快速开关速度
    • 低栅极电荷
    • 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
    • 高功率和高电流处理能力
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDB029N06 - 产品应用

    • AC-DC商用电源
    • AC-DC商用电源-台式计算机
    • AC-DC商用电源-服务器和工作站
    • 其他数据处理

    以下列出了FDB029N06相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDB029N06量产-ROHS：截至2012年11月$1.95
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