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FDB13AN06A0 - N 沟道 PowerTrench MOSFET、60V、62A、13.5mOhms
FDB13AN06A0是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDB13AN06A0是N 沟道 PowerTrench MOSFET、60V、62A、13.5mOhms，本站介绍了FDB13AN06A0的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB13AN06A0相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDB13AN06A0 - N 沟道 PowerTrench MOSFET、60V、62A、13.5mOhms - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDB13AN06A0 - 产品描述
FDB13AN06A0 - 产品特性
- RDS(ON) = 11.5mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 62A
- QG(tot) = 22nC（典型值）@ VGS = 10V
- 低米勒电荷
- 低 QRR体二极管
- UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合 AEC Q101，以前的开发类型为 82555
FDB13AN06A0 - 产品应用
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 工作站
- 服务器和大型机
以下列出了FDB13AN06A0相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDB13AN06A0 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.9711 |
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