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FDB20N50F - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500 V、
FDB20N50F是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDB20N50F是N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500 V、，本站介绍了FDB20N50F的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB20N50F相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDB20N50F - N 沟道 UniFET FRFET MOSFET 500 V、 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDB20N50F - 产品描述
UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低导通电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFETFRFETMOSFET体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。其trr小于100nsec且反向dv/dt抗扰度为15V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，它在MOSFET体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
FDB20N50F - 产品特性
- RDS(on) = 220 mΩ（典型值） @ VGS = 10 V, ID = 10 A
- 低栅极电荷（典型值 50 nC）
- 低 Crss（典型值 27 pF）
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高dv/dt能力
- 符合 RoHS 标准
- 符合JEDEC标准JESD22-A113F和IPC/JEDEC J-STD-020D.1
FDB20N50F - 产品应用
以下列出了FDB20N50F相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDB20N50F | 量产-ROHS：截至2010年11月 | $2.09 |
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