FDB3632 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V、80A、9mΩ
FDB3632是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDB3632是N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V、80A、9mΩ,本站介绍了FDB3632的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDB3632相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDB3632 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V、80A、9mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDB3632 - 产品描述
FDB3632 - 产品特性
- RDS(ON) = 7.5mΩ(典型值) @ VGS = 10V, ID = 80A
- QG(tot) = 84nC(典型值) @ VGS = 10V
- 低米勒电荷
- 低 QRR体二极管
- UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
- 符合 RoHS 标准
FDB3632 - 产品应用
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 其他数据处理
- 工作站
- 服务器和大型机
以下列出了FDB3632相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDB3632 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $2.09 |
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