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FDB38N30U - N 沟道 UniFET Ultra FRFET MOSFET 300 V、38 A、120 mΩ
FDB38N30U是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDB38N30U是N 沟道 UniFET Ultra FRFET MOSFET 300 V、38 A、120 mΩ，本站介绍了FDB38N30U的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB38N30U相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDB38N30U - N 沟道 UniFET Ultra FRFET MOSFET 300 V、38 A、120 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDB38N30U - 产品描述
UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形技术和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。UniFETUltraFRFETTMMOSFET具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。其trr小于50nsec且反向dv/dt抗扰度为20V/nsec，而一般的平面MOSFET产品分别为200nsec以上和4.5V/nsec。因此，UniFETUltraFRFETMOSFET在要求MOSFET体二极管性能改进的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
FDB38N30U - 产品特性
- RDS(on) = 120 mΩ （最大值），需 VGS = 10 V、ID = 19 A栅极电荷低（典型值：56nC)
- 低 Crss（典型值55pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FDB38N30U - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDB38N30U相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDB38N30U | 量产-ROHS：截至2011年3月 | $1.98 |
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