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    Fairchild产品 - FDB86102LZ介绍
    FDB86102LZ - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。

    FDB86102LZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDB86102LZ是100V N沟道PowerTrench MOSFET。，本站介绍了FDB86102LZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB86102LZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDB86102LZ - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDB86102LZ - 产品描述

    此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

    FDB86102LZ - 产品特性
    • VGS = 10 V且ID = 8.3A时，最大rDS(on) = 24 mΩ
    • VGS = 4.5 V且ID = 6.8 A时，最大rDS(on) = 35 mΩ
    • HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）
    • 与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
    • 快速开关速度
    • 100%经过UIL测试
    • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDB86102LZ - 产品应用

    • AC-DC商用电源

    以下列出了FDB86102LZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDB86102LZ量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.51
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