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FDB86563_F085 - 60 V、110 A、1.6 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench
FDB86563_F085是Fairchild公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDB86563_F085是60 V、110 A、1.6 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench，本站介绍了FDB86563_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDB86563_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDB86563_F085 - 60 V、110 A、1.6 mΩ、D2PAKN 沟道 PowerTrench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild（仙童半导体）
FDB86563_F085 - 产品描述
FDB86563_F085 - 产品特性
- 典型 RDS(on) = 1.6 mΩ（VGS = 10 V、ID = 80 A ）
- 典型 Qg(tot) = 126 nC（VGS = 10 V、ID = 80 A ）
- UIS 能力
- 符合RoHS标准
- 符合 AEC Q101 标准
FDB86563_F085 - 产品应用
以下列出了FDB86563_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDB86563_F085 | 量产-ROHS：截至2012年12月 | 不适用 |
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