FDB8860_F085 - 30 V、80 A、1.9 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench
FDB8860_F085是Fairchild公司的一款车用N沟道MOSFET产品,FDB8860_F085是30 V、80 A、1.9 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench,本站介绍了FDB8860_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDB8860_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDB8860_F085 - 30 V、80 A、1.9 mΩ、D2PAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild(仙童半导体)
FDB8860_F085 - 产品描述
FDB8860_F085 - 产品特性
- RDS(ON) = 1.9 mΩ (典型值)、VGS = 5 V、ID = 80 A
- Qg(5) = 89nC(典型值),VGS = 5V
- 低米勒电荷
- 低 QRR体二极管
- UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
FDB8860_F085 - 产品应用
- 人体电子
- 传动系
- 便携导航
- 信息娱乐
- 其他
- 其他车用
- 安全和控制
- 舒适与便捷
- 车辆安全系统
以下列出了FDB8860_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDB8860_F085 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.33 |
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