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FDC6303N技术文档下载：
FDC6303N - 数字 FET、双 N 沟道
FDC6303N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDC6303N是数字 FET、双 N 沟道，本站介绍了FDC6303N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC6303N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDC6303N - 数字 FET、双 N 沟道 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDC6303N - 产品描述
这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。由于不需要偏置电阻，该N沟道FET能替代一些具有不同偏置电阻的数字晶体管，如IMHxA系列。
FDC6303N - 产品特性
- -25V、-0.68A（连续值）、-2A（峰值）
- RDS(ON) = 0.6 Ω @ VGS = 2.7 V
- RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V
- 栅极驱动电平要求极低，从而可在3V电路中直接运行。 VGS(th) < 1.5V。
- 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型
- 用一个DMOS FET替代多个NPN数字晶体管（IMHxA系列）
FDC6303N - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDC6303N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDC6303N | 量产-ROHS：截至2011年7月 | $0.51 |
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