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FDC6321C - 双 N&P 沟道数字 FET
FDC6321C是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDC6321C是双 N&P 沟道数字 FET，本站介绍了FDC6321C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC6321C相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDC6321C - 双 N&P 沟道数字 FET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDC6321C - 产品描述
这些双N和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代数字晶体管。由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。
FDC6321C - 产品特性
- N-Ch 25 V, 0.68 A, RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V
- P-Ch -25 V, -0.46 A, RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS= -4.5 V.
- 极低的栅极驱动要求允许3V电路的直接运行。 VGS(th)< 1.0V。
- 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型
- 替代多个双通道NPN & PNP数字晶体管。
FDC6321C - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDC6321C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDC6321C | 量产-ROHS：截至2011年7月 | $0.57 |
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