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    Fairchild产品 - FDC638APZ介绍
    FDC638APZ - -20V P沟道2.5V PowerTrench额定MOSFET

    FDC638APZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDC638APZ是-20V P沟道2.5V PowerTrench额定MOSFET，本站介绍了FDC638APZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC638APZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDC638APZ - -20V P沟道2.5V PowerTrench额定MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDC638APZ - 产品描述

    此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

    这些器件非常适合负载开关、电源管理、电池充电电路和DC/DC转换等电池电源应用。

    FDC638APZ - 产品特性
    • 最大值 rDS(ON)=43 mΩ，条件是 VGS=-4.5 V、ID=-4.5 A
    • 最大值 rDS(ON)=68 mΩ，条件是 VGS=-2.5 V、ID=-3.8 A
    • 低栅极电荷（典型值8nC）。
    • 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
    • SuperSOT -6 封装：小尺寸（比标准 SO¨C8 小 72%）超薄（1 mm 厚）。
    • 符合 RoHS 标准
    • 采用绿色封装材料生产。
    • 无卤素
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDC638APZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDC638APZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDC638APZ量产-ROHS：截至2011年7月$0.139
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