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FDC6401N技术文档下载：
FDC6401N - 双N沟道2.5V规格PowerTrench MOSFET
FDC6401N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDC6401N是双N沟道2.5V规格PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDC6401N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC6401N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDC6401N - 双N沟道2.5V规格PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDC6401N - 产品描述
该双N沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器。已针对低栅极电荷、低rDS(ON)和高速开关进行了优化。
FDC6401N - 产品特性
- 3.0 A, 20 V
- RDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = 4.5 V
- RDS(on) = 95 mΩ @ VGS = 2.5 V
- 低栅极电荷
- 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力
FDC6401N - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDC6401N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDC6401N | 量产-ROHS：截至2011年7月 | $0.421 |
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