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FDC6561AN技术文档下载：
FDC6561AN - 双N沟道、逻辑电平、Power Trench MOSFET
FDC6561AN是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDC6561AN是双N沟道、逻辑电平、Power Trench MOSFET，本站介绍了FDC6561AN的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDC6561AN相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDC6561AN - 双N沟道、逻辑电平、Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDC6561AN - 产品描述
这些P沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合所有需要小尺寸，特别是电池供电系统中需要低成本DC/DC转换的应用。
FDC6561AN - 产品特性
- 2.5 A, 30 V
- RDS(ON) = 0.095 Ω @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 0.145 Ω @ VGS = 4.5 V
- 极快速开关
- 低栅极电荷（2.1nC，典型值）
- SuperSOT-6封装： 小尺寸（比标准SO-8封装小72%）；薄型（1mm厚）
FDC6561AN - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDC6561AN相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDC6561AN | 量产-ROHS：截至2011年7月 | $0.62 |
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