FDC855N - 30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET
FDC855N是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDC855N是30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDC855N的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDC855N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDC855N - 30V单N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDC855N - 产品描述
该N沟道逻辑电平MOSFET是低电压和电池电源应用的有效解决方案。由于采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺,该器件具有最低的通态电阻,可以优化功耗。非常适合重视线路内功率损耗的应用。
FDC855N - 产品特性
- VGS = 10V,ID = 6.1A时,最大RDS(on) = 27mΩ
- VGS = 4.5V,ID = 5.3A时,最大rDS(on) = 36 mΩ
- SuperSOT -6封装: 小尺寸(比标准SO-8小72%);薄型(1mm厚)。
- 符合RoHS标准
FDC855N - 产品应用
该产品为通用产品,适用于很多不同应用。
以下列出了FDC855N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDC855N | 量产-ROHS:截至2008年4月 | $0.225 |
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