FDD10AN06_F085 - 60 V、50 A、9.4 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench
FDD10AN06_F085是Fairchild公司的一款车用N沟道MOSFET产品,FDD10AN06_F085是60 V、50 A、9.4 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench,本站介绍了FDD10AN06_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDD10AN06_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD10AN06_F085 - 60 V、50 A、9.4 mΩ、Dual DPAKN 沟道 PowerTrench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild(仙童半导体)
FDD10AN06_F085 - 产品描述
FDD10AN06_F085 - 产品特性
- rDS(ON) = 9.4 mΩ(典型值)(VGS = 10 V、ID = 50 A)
- Qg(tot) =(典型值),VGS = 10V
- 低密勒电荷
- 低 Qrr 体二极管
- UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
- 符合 AEC Q101
- 符合 RoHS 标准
FDD10AN06_F085 - 产品应用
以下列出了FDD10AN06_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDD10AN06A0_F085 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.6141 |
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