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FDD10N20LZ - N 沟道 UniFET MOSFET 200V，7.6A，360mΩ
FDD10N20LZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDD10N20LZ是N 沟道 UniFET MOSFET 200V，7.6A，360mΩ，本站介绍了FDD10N20LZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD10N20LZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD10N20LZ - N 沟道 UniFET MOSFET 200V，7.6A，360mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDD10N20LZ - 产品描述
UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及灯用电子镇流器。
FDD10N20LZ - 产品特性
- RDS(on) = 300mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.8A
- 低栅极电荷（典型值 12nC）
- 低 Crss（典型值 11pF）
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高了 dv/dt 处理能力
- 改进了 ESD 防护能力
- 符合 RoHS 标准
FDD10N20LZ - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDD10N20LZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDD10N20LZTM | 量产-ROHS：截至2010年6月 | $0.4427 |
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