FDD1600N10ALZ - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 6.8A, 160mΩ
FDD1600N10ALZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDD1600N10ALZ是N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 6.8A, 160mΩ,本站介绍了FDD1600N10ALZ的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDD1600N10ALZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD1600N10ALZ - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 6.8A, 160mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDD1600N10ALZ - 产品描述
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
FDD1600N10ALZ - 产品特性
- RDS(on) = 124mΩ(典型值)@ VGS = 10V, ID = 3.5A
- RDS(on) = 175mΩ(典型值)@ VGS = 5.0V,ID = 2.1A
- 低栅极电荷(典型值2.78nC)
- 低 Crss(典型值2.04pF)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 提高了 dv/dt 性能
- 符合 RoHS 标准
FDD1600N10ALZ - 产品应用
- LED电视
- 消费型设备
以下列出了FDD1600N10ALZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDD1600N10ALZ | 量产-ROHS:截至2012年9月 | $0.2956 |
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