FDD5612 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET
FDD5612是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDD5612是60V N沟道PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDD5612的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDD5612相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD5612 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDD5612 - 产品描述
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此,这是一款更易于驱动且更安全(在高频段也是如此)的MOSFET,可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。
FDD5612 - 产品特性
- 18 A,60 V
- RDS(ON) = 55 mΩ @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 64 mΩ @ VGS = 6 V
- 专门针对高频DC/DC转换器应用进行了优化。
- 低栅极电荷。
- 极快速开关。
FDD5612 - 产品应用
该产品为通用产品,适用于很多不同应用。
以下列出了FDD5612相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDD5612 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.22 |
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