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Fairchild产品 - FDD5612介绍
FDD5612 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET

FDD5612是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDD5612是60V N沟道PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDD5612的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDD5612相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDD5612 - 60V N沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDD5612 - 产品描述

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比,这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。因此,这是一款更易于驱动且更安全(在高频段也是如此)的MOSFET,可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

FDD5612 - 产品特性
  • 18 A,60 V
  • RDS(ON) = 55 mΩ @ VGS = 10 V
  • RDS(ON) = 64 mΩ @ VGS = 6 V
  • 专门针对高频DC/DC转换器应用进行了优化。
  • 低栅极电荷。
  • 极快速开关。
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDD5612 - 产品应用

    该产品为通用产品,适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD5612相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD5612量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.22
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