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FDD5810_F085 - 60 V、37 A、18 mΩ、Dual DPAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench
FDD5810_F085是Fairchild公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDD5810_F085是60 V、37 A、18 mΩ、Dual DPAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench，本站介绍了FDD5810_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD5810_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD5810_F085 - 60 V、37 A、18 mΩ、Dual DPAK、逻辑电平N 沟道 PowerTrench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild（仙童半导体）
FDD5810_F085 - 产品描述
FDD5810_F085 - 产品特性
- RDS(on) = 22mΩ（典型值）(VGS = 5V, ID = 29A)
- VGS = 5V时，典型Qg(5) = 13nC
- 低密勒电荷
- 低 Qrr体二极管
- UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
FDD5810_F085 - 产品应用
- 人体电子
- 传动系
- 便携导航
- 信息娱乐
- 其他
- 其他车用
- 安全和控制
- 舒适与便捷
- 车辆安全系统
以下列出了FDD5810_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDD5810_F085 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.38 |
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