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Fairchild产品 - FDD6N20TM介绍
FDD6N20TM - N 沟道 UniFET MOSFET 200V,4.55A,800mΩ

FDD6N20TM是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDD6N20TM是N 沟道 UniFET MOSFET 200V,4.55A,800mΩ,本站介绍了FDD6N20TM的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDD6N20TM相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDD6N20TM - N 沟道 UniFET MOSFET 200V,4.55A,800mΩ - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDD6N20TM - 产品描述

UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品,基于平面条形技术和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX及灯用电子镇流器。

FDD6N20TM - 产品特性
  • RDS(on) = 600mΩ (典型值)(VGS = 10V, ID = 2.3A 时)
  • 低栅极电荷(典型值 4.7nC)
  • 低 Crss(典型值 6.3pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDD6N20TM - 产品应用

    该产品为通用产品,适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD6N20TM相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD6N20TM量产-ROHS:截至2012年11月$0.2999
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