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FDD6N50 - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，6A，900mΩ
FDD6N50是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDD6N50是N 沟道 UniFET MOSFET 500V，6A，900mΩ，本站介绍了FDD6N50的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD6N50相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD6N50 - N 沟道 UniFET MOSFET 500V，6A，900mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDD6N50 - 产品描述
UniFETTMMOSFET是飞兆半导体的高压MOSFET系列产品，基于平面条形和DMOS技术。该MOSFET产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX及照明设备用镇流器。
FDD6N50 - 产品特性
- RDS(on) = 900mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 3A
- 低栅极电荷（典型值 12.8nC）
- 低 Crss（典型值 9pF）
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 提高了 dv/dt 处理能力
FDD6N50 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDD6N50相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDD6N50TM | 量产-ROHS：截至2012年10月 | $0.6284 |
| FDD6N50TM_WS | 量产-ROHS：截至2012年11月 | $0.6284 |
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