FDD86102 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。
FDD86102是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDD86102是100V N沟道PowerTrench MOSFET。,本站介绍了FDD86102的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDD86102相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDD86102 - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。 - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)
FDD86102 - 产品描述
这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。
FDD86102 - 产品特性
- VGS = 10 V,ID = 8 A时,Max rDS(on) = 24 mO
- 最大rDS(on) = 38 mO (VGS = 6 V, ID = 6 A)
- 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
- 高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
- 与其他沟道技术相比,具有极低的Qg和Qgd
- 快速开关速度
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
FDD86102 - 产品应用
该产品为通用产品,适用于很多不同应用。
以下列出了FDD86102相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
FDD86102 | 量产-ROHS:截至2010年5月 | $0.61 |
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