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    Fairchild产品 - FDD86102LZ介绍
    FDD86102LZ - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。

    FDD86102LZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDD86102LZ是100V N沟道PowerTrench MOSFET。，本站介绍了FDD86102LZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDD86102LZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDD86102LZ - 100V N沟道PowerTrench MOSFET。 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDD86102LZ - 产品描述

    此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻而定制的。旨在为增强ESD电压电平而增加了G-S齐纳管。

    FDD86102LZ - 产品特性
    • VGS = 10 V，ID = 8 A时，最大rDS(on) = 22.5 mΩ
    • VGS = 4.5 V，ID = 7A时，最大rDS(on) = 31 mΩ
    • HBM ESD保护等级> 6 KV典型值（注4）
    • 与其他沟道技术相比，具有极低的Qg和Qgd
    • 快速开关速度
    • 100%经过UIL测试
    • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDD86102LZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDD86102LZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDD86102LZ量产-ROHS：截至2010年7月$0.51
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