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Fairchild产品 - FDG332PZ介绍
FDG332PZ - -20V P沟道PowerTrench MOSFET

FDG332PZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDG332PZ是-20V P沟道PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDG332PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDG332PZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDG332PZ - -20V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDG332PZ - 产品描述

此P沟道MOSFET采用飞兆先进的低压PowerTrench工艺生产。它已针对电池的电源管理应用进行了优化。

FDG332PZ - 产品特性
  • 最大rDS(on) = 95mΩ(VGS = -4.5V,ID = -2.6A)
  • 最大rDS(on) = 115mΩ(VGS = -2.5V,ID = -2.2A)
  • 最大rDS(on) = 160mΩ(VGS = -1.8V,ID = -1.9A)
  • 最大rDS(on) = 330 mΩ(VGS = -1.5V,ID = -1.0A)
  • 极低的栅极驱动要求允许在1.5V电路中运行
  • 非常小的封装尺寸SC70-6
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDG332PZ - 产品应用

    该产品为通用产品,适用于很多不同应用。

    以下列出了FDG332PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDG332PZ量产-ROHS:截至2010年12月$0.149
    PCF332PW量产(特殊订单)-ROHS不适用
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