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Fairchild产品 - FDG6318P介绍
FDG6318P - 双P沟道数字FET

FDG6318P是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDG6318P是双P沟道数字FET,本站介绍了FDG6318P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDG6318P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDG6318P - 双P沟道数字FET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDG6318P - 产品描述

这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计,以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。

FDG6318P - 产品特性
  • -0.5A,-20V
  • RDS(ON) = 780 mΩ @ VGS = -4.5V
  • RDS(ON) = 1200 mΩ @ VGS = -2.5V
  • 电平栅极驱动要求极低,从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)< 1.5 V)
  • 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDG6318P - 产品应用

    该产品为通用产品,适用于很多不同应用。

    以下列出了FDG6318P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDG6318P量产-ROHS:截至2010年12月$0.206
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