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FDG6332C_F085技术文档下载：
FDG6332C_F085 - 20 V/-20 V、0.7/-0.6 A、300/420 mΩ、SC-70-6N 沟道和 P 沟道 PowerTrench
FDG6332C_F085是Fairchild公司的一款车用N沟道MOSFET产品，FDG6332C_F085是20 V/-20 V、0.7/-0.6 A、300/420 mΩ、SC-70-6N 沟道和 P 沟道 PowerTrench，本站介绍了FDG6332C_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG6332C_F085相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDG6332C_F085 - 20 V/-20 V、0.7/-0.6 A、300/420 mΩ、SC-70-6N 沟道和 P 沟道 PowerTrench - 车用N沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - Fairchild（仙童半导体）
FDG6332C_F085 - 产品描述
这些双N和P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。这些器件经过专门设计，能以极小的尺寸提供极低的功耗，非常适合那些不宜采用更大更昂贵的TSSOP-8和SSOP-6封装的应用。
FDG6332C_F085 - 产品特性
- Q1 0.7 A、20 V。RDS(ON) = 300 mΩ (VGS = 4.5 V) RDS(ON) = 400 mΩ (VGS = 2.5 V)
- Q2 -0.6A, -20V。RDS(ON) = 420 mΩ (VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 630 mΩ (VGS = -2.5 V)
- 低栅极电荷
- 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(ON)
- SC70-60封装小尺寸（比标准SSOT-6小51%）；薄型（1mm厚）。
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
FDG6332C_F085 - 产品应用
- 人体电子
- 传动系
- 便携导航
- 信息娱乐
- 其他
- 其他车用
- 安全和控制
- 舒适与便捷
- 车辆安全系统
以下列出了FDG6332C_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDG6332C_F085 | 量产-ROHS：截至2010年12月 | $0.1012 |
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