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    Fairchild产品 - FDG8842CZ介绍
    FDG8842CZ - Q1：30V/Q2： -25V互补PowerTrench MOSFET

    FDG8842CZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDG8842CZ是Q1：30V/Q2： -25V互补PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDG8842CZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDG8842CZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDG8842CZ - Q1：30V/Q2： -25V互补PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDG8842CZ - 产品描述

    这些双N沟道和P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度、DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。由于不需要偏压电阻，该双通道数字FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管。

    FDG8842CZ - 产品特性
    Q1： N沟道
    • 最大值 RDS(on) = 0.4O（VGS = 4.5V，ID = 0.75A
      • ）
    • 最大值 RDS(on) = 0.5O（VGS = 2.7V，ID = 0.67A
    ）Q2： P沟道
    • 最大值 RDS(on) = 1.1O（VGS = –4.5V，ID = –0.41A
      • ）
    • 最大值 RDS(on) = 1.5O（VGS = -2.7V，ID = -0.25A
      • ）
    • 电平栅极驱动要求极低，从而可在3V电路中直接运行(VGS(th)<1.5 V)
    • 非常小的封装尺寸SC70-6
    • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDG8842CZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDG8842CZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDG8842CZ量产-ROHS：截至2010年12月$0.218
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