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Fairchild产品 - FDMA1027P介绍
FDMA1027P - -20V双P沟道PowerTrench MOSFET

FDMA1027P是Fairchild公司的一款MOSFET产品,FDMA1027P是-20V双P沟道PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDMA1027P的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDMA1027P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDMA1027P - -20V双P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild(仙童半导体)

FDMA1027P - 产品描述

该器件专门设计为单封装解决方案,适合手机和其他超便携应用的电池充电开关。该器件具有两个带低导通电阻的独立P沟道MOSFET,以最大限度地降低导通损耗。当连接为典型共源配置时,可以实现双向电流流动。MicroFET2x2封装虽然体积小巧,却能提供出色的热性能,非常适合线性模式应用。

FDMA1027P - 产品特性
  • -3.0 A, -20V.
  • RDS(ON) = 120 mΩ(VGS = -4.5 V
  • 时)
  • RDS(ON) = 160 mΩ(VGS = -2.5 V
  • 时)
  • RDS(ON) = 240 mΩ(VGS = -1.8 V
  • 时)
  • 薄型 – 最大 0.8 mm – 采用新的 MicroFET 2x2 mm 封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 不含任何卤代化合物和锑氧化物
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供,了解更多介绍请在本站下载技术文档
  • FDMA1027P - 产品应用

    该产品为通用产品,适用于很多不同应用。

    以下列出了FDMA1027P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMA1027P量产-ROHS:截至2006年12月$0.406
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