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FDMA1430JP - -30V 集成式 P 沟道 PowerTrench MOSFET 和 BJT
FDMA1430JP是Fairchild公司的一款MOSFET/BJT产品，FDMA1430JP是-30V 集成式 P 沟道 PowerTrench MOSFET 和 BJT，本站介绍了FDMA1430JP的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMA1430JP相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMA1430JP - -30V 集成式 P 沟道 PowerTrench MOSFET 和 BJT - MOSFET/BJT - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMA1430JP - 产品描述
该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的负载开关。在其节省空间的MicroFET2x2封装内具有50VNPNBJT和30VP沟道MOSFET产品，从而提供出色热性能，因其物理尺寸非常适合于线性模式应用。
FDMA1430JP - 产品特性
- 最大值 rDS(on) = 90 mΩ（VGS = -4.5 V且ID = -2.9 A）
- 最大值 rDS(on) = 130 mΩ（VGS = -2.5 V且ID = -2.6 A）
- 最大值 rDS(on) = 170 mΩ（VGS = -1.8 V，ID = -1.7 A）
- 最大值 rDS(on) = 240 mΩ（VGS = -1.5 V，ID = -1 A）
- 薄型 – 最大 0.8 mm – 采用新的 MicroFET 2x2 mm 封装
- HBM 静电放电保护等级>2 kV 典型值（注3）
- 符合RoHS标准
FDMA1430JP - 产品应用
以下列出了FDMA1430JP相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMA1430JP | 量产-ROHS：截至2012年5月 | $0.363 |
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