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    Fairchild产品 - FDMB3900AN介绍
    FDMB3900AN - 25 V 双 N 沟道 Power Trench MOSFET

    FDMB3900AN是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMB3900AN是25 V 双 N 沟道 Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMB3900AN的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMB3900AN相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMB3900AN - 25 V 双 N 沟道 Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMB3900AN - 产品描述

    这些N沟道逻辑电平MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

    这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

    FDMB3900AN - 产品特性
    • rDS(on)最大值 = 23 mΩ ，需 VGS = 10 V、ID = 7.0 A
    • rDS(on)最大值 = 33 mΩ ，需 VGS = 4.5 V、ID = 5.5 A
    • 快速开关速度
    • 低栅极电荷
    • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
    • 高功率和高电流处理能力
    • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMB3900AN - 产品应用

    • 手机

    以下列出了FDMB3900AN相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMB3900AN量产-ROHS：截至2011年4月$0.247
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