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    Fairchild产品 - FDMC4435BZ介绍
    FDMC4435BZ - -30V P-Channel Power Trench MOSFET

    FDMC4435BZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC4435BZ是-30V P-Channel Power Trench MOSFET，本站介绍了FDMC4435BZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC4435BZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMC4435BZ - -30V P-Channel Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMC4435BZ - 产品描述

    这一P沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench工艺生产，该工艺专为最大限度地降低通态电阻而量身定制。该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的功率管理和负载开关应用。

    FDMC4435BZ - 产品特性
    • Max rDS(on) = 20.0mΩ（在VGS= -10V, ID = -8.5A时）
    • 在VGS = -4.5V，ID = -6.3A时，最大值rDS(on) = 37.0 mΩ
    • 扩展了VGSS范围(-25V)，适合电池应用
    • rDS(on)极低的高性能沟道技术
    • 高功率和高电流处理能力
    • HBM ESD保护等级7kV典型值>
    • 100%经过UIL测试
    • 终端是符合RoHS标准的无铅产品
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC4435BZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDMC4435BZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC4435BZ量产-ROHS：截至2007年10月$0.29
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