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    Fairchild产品 - FDMC6675BZ介绍
    FDMC6675BZ - -30V P沟道PowerTrench MOSFET

    FDMC6675BZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC6675BZ是-30V P沟道PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC6675BZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC6675BZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDMC6675BZ - -30V P沟道PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDMC6675BZ - 产品描述

    FDMC6675BZ已针对在负载开关应用中损耗最小化进行了设计。先进的硅技术和封装技术完美融合，提供了最低rDS(on)和ESD保护。

    FDMC6675BZ - 产品特性
    • VGS = -10 V，ID = -9.5 A时，最大rDS(on) = 14.4mΩ
    • VGS = -4.5 V，ID = -6.9 A时，最大rDS(on) = 27.0mΩ
    • HBM ESD保护等级典型值为8kV（注3）
    • 扩展VGSS范围(-25 V)，适合电池应用
    • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
    • 高功率和高电流处理能力
    • 终端无引线且符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDMC6675BZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDMC6675BZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDMC6675BZ量产-ROHS：截至2008年5月$0.65
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