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FDMC6686P技术文档下载：
FDMC6686P - P 沟道 PowerTrench MOSFET
FDMC6686P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDMC6686P是P 沟道 PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDMC6686P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDMC6686P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDMC6686P - P 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDMC6686P - 产品描述
此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺已针对rDS(ON)、开关性能和稳固性进行了优化。
FDMC6686P - 产品特性
- 最大值 rDS(on) = 4 mΩ（VGS = -4.5 V, ID = -18 A 时）
- 最大值 rDS(on) = 5.7 mΩ（VGS = -2.5 V,ID = -16 A 时）
- 最大值 rDS(on) =11.5 mΩ（VGS = -1.8 V, ID = -11 A 时）
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
- 无铅并符合 RoHS 标准
FDMC6686P - 产品应用
以下列出了FDMC6686P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDMC6686P | 量产-ROHS：截至2014年7月 | $0.4857 |
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